Обратная связь

Поле ФИО некорректно заполнено
Поле Телефон некорректно заполнено
Некорректный E-mail
Данный email уже был зарегистрирован в системе.
Пожалуйста, авторизуйтесь!
Некорректный Ваш вопрос

Регистрация

Вы успешно зарегистрированы
Пароль и повторение пароля не совпадают
Некорректный пароль. Минимум 6 символов
Данный email уже был зарегистрирован в системе.
Ошибка при создании пользователя. Попробуйте зарегистрироваться еще раз
E-mail
Некорректный пароль. Минимум 6 символов
Пароли не совпадают
Не дано согласие на обработку персональных данных
E-mail
Некорректный пароль. Минимум 6 символов
Пароли не совпадают























Авторизация

Неверный логин и/или пароль
Служба дополнительного образования РУДН https://www.dpo.rudn.ru Москва +7 499 936-85-94 Служба дополнительного образования РУДН https://www.dpo.rudn.ru Москва +7 499 936-85-94

Численное моделирование в современной фотоэлектронике

Формат обучения: Программы повышения квалификации

Форма обучения: Очная

Объем: 72 ак. ч.

Продолжительность: 18 недель

Отзывы

На данный курс отзывов нет, вы можете первым оставить свой отзыв Все отзывы Оставить отзыв
Элементы теории физики полупроводников и свойства материалов полупроводниковой фотоэлектроники. Основные полупроводниковые приборы и схемотехника их применения, Технологии и маршруты производства компонентов фотоэлектроники, Математические модели технологических процессов, Математическая модель работы полупроводниковых приборов, Методы дискретизации и решения систем дифференциальных уравнений, описывающих процессы в технологии и работе полупроводниковых приборов, Численное моделирование технологических процессов, Численное моделирование полупроводниковых приборов

Содержание программы:

  • Тема 1

    1.1 Основы зонной теории. Статистика электронов и дырок в полупроводниках.¶Уровень Ферми. Процессы генерации и рекомбинации в полупроводниках.

  • Тема 2

    1.2 Основные материалы и соединения, применяемые в фотоэлектронике.¶Физические и фотоэлектрические свойства полупроводниковых материалов.

  • Тема 3

    1.3 Донорные и акцепторные полупроводники.¶Контакты полупроводников. Омические контакты.

  • Тема 4

    1.4 Основные полупроводниковые приборы и схемотехника устройств фотоники на их основе.

  • Тема 5

    2.1 Эпитаксиальное выращивание полупроводниковых структур.¶Классификация эпитаксиальных методов.

  • Тема 6

    2.2 Фотолитография

  • Тема 7

    2.3 Технологии ионной имплантации и диффузии легирующих примесей.¶Технологии формирования защитных масок и вспомогательных слоев.

  • Тема 8

    2.4 Маршруты производства фотоэлектронных приборов по меза- и планарной технологиям.

  • Тема 9

    3.1 Модели процессов ионного легирования

  • Тема 10

    3.2 Модели диффузионных процессов

  • Тема 11

    3.3 Модели термического окисления

  • Тема 12

    3.4 Модели эпитаксиальных процессов

  • Тема 13

    3.5 Модель лазерной резки

  • Тема 14

    4.1 Фундаметнальная система уравнений,¶Уравнение Пуассона. Уравнения непрерывности

  • Тема 15

    4.2 Граничные условия в численном моделировании полупроводниковых структур

  • Тема 16

    4.3 Модели генерации. Модели подвижности основных носителей.

  • Тема 17

    5.1 Метод конечных разностей

  • Тема 18

    5.2 Метод конечных элементов

  • Тема 19

    5.3 Метод прогонки

  • Тема 20

    5.4 Итерационные методы решения систем дифференциальных уравнений

  • Тема 21

    5.5 Решение уравнений с частными производными методом конечных разностей

  • Тема 22

    6.1 Численное решение уравнение теплопроводности для случая лазерного нагрева полупроводника при скрабировании.

  • Тема 23

    6.2 Численное моделирование диффузионного процесса

  • Тема 24

    6.3 Численное моделирование эпитаксиального процесса

  • Тема 25

    7.1 Применение метода Шарфеттера -Гуммеля для решения ФСУ полупроводника

  • Тема 26

    7.2 Одномерное моделирование полупроводниковых устройств в программе Sim Windows

  • Тема 27

    Итоговый контроль

Для кого?

широкого круга слушателей, желающих ознакомиться с физикой полупроводников и численными методами

Цель:

приобретение навыков численного моделирования полупроводниковых приборов и устройств на их основе

Руководитель

Короннов Алексей Алексеевич

Вы научитесь

  • проводить численное моделирование полупроводниковых приборов, используя свободно распространяемое программное обеспечение, рассчитывать характеристики фотоэлектронных устройств

Записаться на курс
"Численное моделирование в современной фотоэлектронике"

Поле Фамилия некорректно заполнено
Поле Имя некорректно заполнено
Поле Отчество некорректно заполнено
Поле Телефон некорректно заполнено
Некорректный E-mail
Данный email уже был зарегистрирован в системе.
Пожалуйста, авторизуйтесь!
Некорректный Ваш вопрос

Вы записаны на курс.