Программы
Численное моделирование в современной фотоэлектронике
Элементы теории физики полупроводников и свойства материалов полупроводниковой фотоэлектроники. Основные полупроводниковые приборы и схемотехника их применения, Технологии и маршруты производства компонентов фотоэлектроники, Математические модели технологических процессов, Математическая модель работы полупроводниковых приборов, Методы дискретизации и решения систем дифференциальных уравнений, описывающих процессы в технологии и работе полупроводниковых приборов, Численное моделирование технологических процессов, Численное моделирование полупроводниковых приборов
Вид
Программы повышения квалификации
Форма обучения
Очная
Объем
72 ак.ч. (18 недель)
Стоимость
30 000 ₽
Для кого?
широкого круга слушателей, желающих ознакомиться с физикой полупроводников и численными методами
Цель
приобретение навыков численного моделирования полупроводниковых приборов и устройств на их основе
Содержание программы
1.1 Основы зонной теории. Статистика электронов и дырок в полупроводниках.¶Уровень Ферми. Процессы генерации и рекомбинации в полупроводниках.
1.2 Основные материалы и соединения, применяемые в фотоэлектронике.¶Физические и фотоэлектрические свойства полупроводниковых материалов.
1.3 Донорные и акцепторные полупроводники.¶Контакты полупроводников. Омические контакты.
1.4 Основные полупроводниковые приборы и схемотехника устройств фотоники на их основе.
2.1 Эпитаксиальное выращивание полупроводниковых структур.¶Классификация эпитаксиальных методов.
2.2 Фотолитография
2.3 Технологии ионной имплантации и диффузии легирующих примесей.¶Технологии формирования защитных масок и вспомогательных слоев.
2.4 Маршруты производства фотоэлектронных приборов по меза- и планарной технологиям.
3.1 Модели процессов ионного легирования
3.2 Модели диффузионных процессов
3.3 Модели термического окисления
3.4 Модели эпитаксиальных процессов
3.5 Модель лазерной резки
4.1 Фундаметнальная система уравнений,¶Уравнение Пуассона. Уравнения непрерывности
4.2 Граничные условия в численном моделировании полупроводниковых структур
4.3 Модели генерации. Модели подвижности основных носителей.
5.1 Метод конечных разностей
5.2 Метод конечных элементов
5.3 Метод прогонки
5.4 Итерационные методы решения систем дифференциальных уравнений
5.5 Решение уравнений с частными производными методом конечных разностей
6.1 Численное решение уравнение теплопроводности для случая лазерного нагрева полупроводника при скрабировании.
6.2 Численное моделирование диффузионного процесса
6.3 Численное моделирование эпитаксиального процесса
7.1 Применение метода Шарфеттера -Гуммеля для решения ФСУ полупроводника
7.2 Одномерное моделирование полупроводниковых устройств в программе Sim Windows
Итоговый контроль
Вы научитесь
проводить численное моделирование полупроводниковых приборов, используя свободно распространяемое программное обеспечение, рассчитывать характеристики фотоэлектронных устройств
Руководитель программы
Короннов Алексей Алексеевич
Отзывы
Пока нет отзывов
